- 非IC关键词
壹诺半导体(深圳 )有限公司
- 卖家积分:营业执照:已审核经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳企业网站:
http://www.szhmw-ic.com/
收藏本公司 人气:780115
企业档案
- 相关证件: 
- 会员类型:
- 会员年限:13年
- 阿库IM:
- 地址:深圳市华强北路上步工业区101栋5楼508-520房
- 传真:0755-82767516
- E-mail:805183191@QQ.com
相关产品
产品信息
供应IS42S32200L-6TLI随机存取存储器
制造商:ISSI
产品种类:动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型:SDRAM
数据总线宽度:32 bit
组织:2 M x 32
封装 / 箱体:TSOP-86
存储容量:64 Mbit
时钟频率:166 MHz
访问时间:6 ns
电源电压-:3.6 V
电源电压-:3 V
电源电流—值:100 mA
工作温度:- 40 C工作温度:+ 85 C
系列:IS42S32200L
封装:Tray
商标:ISSI
安装风格:SMD/SMT
工作电源电压:3.3 V
产品类型:DRAM
工厂包装数量:1060
子类别:Memory & Data Storage
单位重量:560 mg
随机存取存储器(RAM)是计算机存储器中为人熟知的一种。之所以RAM被称为“随机存储”,是因为您可以直接访问任一个存储单元,只要您知道该单元所在记忆行和记忆列的地址即可。
与RAM形成鲜明对比的是顺序存取存储器(SAM)。SAM中的数据存储单元按照线性顺序排列,因而只能依顺序访问(类似于盒式录音带)。如果当前位置不能找到所需数据,就必须依次查找下一个存储单元,直至找到所需数据为止。SAM非常适合作缓冲存储器之用,一般情况下,缓存中数据的存储顺序与调用顺序相同(显卡中的质素缓存就是个很好的例子)。而RAM则能以任意的顺序存取数据。