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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
KIA12N60H 场效应管 代理直销
KIA12N60H产品描述
KIA12n60hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器。
2、特征
RDS（ON）= 0.53?@ V GS = 10 V
低栅极电荷（典型的52nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
3、产品参数
漏极至源极电压（VDSS）：600
栅源电压（VGSS）：±30
漏极电流 （连续）（lD）：Tc=25℃ 12A Tc=100℃ 7.4A
耗散功率（PD）：231
工作温度：±150
击穿电压温度：0.7
输入电容：VGS =0V,VDS=25V,f=1.0MHz
上升时间：VDD=300V，ID=12A，RG=25Ω
