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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
MOSFET BSC042NE7NS3G 原装Infineon
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 69 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 3
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 值: 44 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: BSC042NE7NS3GATMA1 BSC42NE7NS3GXT SP000657440
单位重量: 100 mg
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
