壹诺半导体（深圳 ）有限公司

MOSFET BSC042NE7NS3G 原装Infineon

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 75 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 69 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

系列: OptiMOS 3  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor  

宽度: 5.15 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 44 S  

下降时间: 9 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 17 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 34 ns  

典型接通延迟时间: 14 ns  

零件号别名: BSC042NE7NS3GATMA1 BSC42NE7NS3GXT SP000657440  

单位重量: 100 mg  

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。