壹诺半导体（深圳 ）有限公司

制造商: Adesto Technologies

产品种类: NOR闪存

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

系列: AT45DB041E

存储容量: 4 Mbit

时钟频率: 70 MHz

接口类型: SPI

组织: 512 k x 8

定时类型: Synchronous

数据总线宽度: 8 bit

电源电压-: 1.65 V

电源电压-: 3.6 V

电源电流—值: 15 mA

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

封装: Reel

存储类型: NOR  

速度: 70 MHz  

结构: Chip Erase  

商标: Adesto Technologies  

产品类型: NOR Flash  

工厂包装数量: 2000  

子类别: Memory & Data Storage  

商标名: DataFlash  

单位重量: 540 mg

闪存技术编辑

是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多，在设计中应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key