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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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询价
产品信息
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
技术:Si安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSONP-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:83 A
Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhmsVgs
th-栅源极阈值电压:1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:27 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:Single
Pd-功率耗散:53 W
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
高度:0.9 mm
长度:3.15 mm
系列:CSD17577Q3A
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:3 mm
商标:Texas Instruments
正向跨导 - 值:76 S
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:31 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:20 ns
典型接通延迟时间:4 ns
单位重量:27.700 mg
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管。
