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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 3.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD18537NQ5A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.9 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 值: 62 S
下降时间: 3.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14.4 ns
典型接通延迟时间: 5.8 ns
金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管与P型金氧半场效晶体管.
