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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
IRFB4110PBF 原装
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
技术:Si
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:180 ARds
On-漏源导通电阻:3.7 mOhmsV
gs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:150 nC
配置:SingleP
d-功率耗散:370 W
高度:15.65 mm
长度:10 mm
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.4 mm
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
零件号别名:SP
单位重量:6 g
基本信息
中文名称 金属-氧化层 半导体场效晶体管
外文名称 MOSFET
金属—氧化层—半导体电容
发明时间 1960年
发明人 D. Kahng和 Martin Atalla
发明机构 贝尔实验室（Bell Lab.）
