壹诺半导体(深圳 )有限公司

13年

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产品分类

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CSD17577Q3A 晶体管MOS  代理直销
CSD17577Q3A 晶体管MOS  代理直销
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CSD17577Q3A 晶体管MOS 代理直销

型号/规格:

CSD17577Q3A

品牌/商标:

TI

封装形式:

VSONP-8

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

卷带编带包装

功率特征:

小功率

产品信息

CSD17577Q3A 晶体管MOS  代理直销

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 

VId-连续漏极电流:83 A

Rds On-漏源导通电阻:4.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 

VQg-栅极电荷:27 nC

工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:53 W

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET封装:Cut Tape

封装:Reel

高度:0.9 mm 长度:3.15 mm 

系列:CSD17577Q3A 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:3 mm

商标:Texas Instruments 

正向跨导 - 值:76 S 

下降时间:4 ns 

产品类型:MOSFET 上升时间:31 ns 工

厂包装数量:2500 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:20 ns 

典型接通延迟时间:4 ns