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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
型号：IRF840PBF
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-ChannelVds-
漏源极击穿电压:500 VId-
连续漏极电流:8 ARds On-
漏源导通电阻:850 mOhmsVgs th-
栅源极阈值电压:2 VVgs -
栅极-源极电压:10 VQg-
栅极电荷:63 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
配置:SinglePd-功率
耗散:125 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 值:4.9 S
下降时间:20 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:23 ns
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:49 ns
典型接通延迟时间:14 ns
