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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
产品种类:
MOSFET
制造商:
IXYS
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-264-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
250 V
Id-连续漏极电流:
82 A
Rds On-漏源导通电阻:
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
5 V
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
142 nC
工作温度:
- 55 C
工作温度:
+ 150 C
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
PolarHT
封装:
Tube
商标:
IXYS
下降时间:
22 ns
正向跨导 - 值:
30 S
高度:
26.59 mm
长度:
20.29 mm
Pd-功率耗散:
500 W
上升时间:
20 ns
系列:
IXTK82N25
工厂包装数量:
25
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
PolarHT Power MOSFET
典型关闭延迟时间:
78 ns
典型接通延迟时间:
29 ns
宽度:
5.31 mm
单位重量:
10 g
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