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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
| 产品种类: | IGBT 晶体管 | |
| 制造商: | Infineon | |
| RoHS: |
 详细信息
|
|
| 技术: | Si | |
| 封装 / 箱体: | TO-247-3 | |
| 安装风格: | Through Hole | |
| 配置: | Single | |
| 集电极—发射极电压 VCEO: | 1200 V | |
| 集电极—射极饱和电压: | 2.05 V | |
| 栅极/发射极电压: | 20 V | |
| 在25 C的连续集电极电流: | 80 A | |
| Pd-功率耗散: | 483 W | |
| 工作温度: | - 40 C | |
| 工作温度: | + 175 C | |
| 系列: | HighSpeed 3 | |
| 封装: | Tube | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 集电极连续电流 Ic: | 80 A | |
| 栅极—射极漏泄电流: | 600 nA | |
| 工厂包装数量: | 240 | |
| 商标名: | TRENCHSTOP | |
| 零件号别名: | IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP | |
| 单位重量: | 38 g |