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壹诺半导体（深圳 ）有限公司
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产品信息
| 产品种类: | MOSFET | |
| 制造商: | Texas Instruments | |
| RoHS: |
 详细信息
|
|
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | VSONP-8 | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | 50 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 4.6 mOhm | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
| Qg-栅极电荷: | 36 nC | |
| 工作温度: | - 55 C | |
| 工作温度: | + 150 C | |
| 配置: | Single | |
| 商标名: | NexFET | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Texas Instruments | |
| 高度: | 1 mm | |
| 长度: | 6 mm | |
| Pd-功率耗散: | 3.1 W | |
| 系列: | CSD18531Q5A | |
| 工厂包装数量: | 2500 | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 宽度: | 4.9 mm |