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壹诺半导体(深圳 )有限公司
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相关产品
产品信息
产品种类: | MOSFET | |
制造商: | STMicroelectronics | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | Through Hole | |
封装 / 箱体: | TO-220-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 68 V | |
Id-连续漏极电流: | 98 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 9.8 mOhms | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
Qg-栅极电荷: | 75 nC | |
工作温度: | - 55 C | |
工作温度: | + 175 C | |
配置: | Single | |
通道模式: | Enhancement | |
封装: | Tube | |
商标: | STMicroelectronics | |
下降时间: | 75 ns | |
正向跨导 - 值: | 60 S | |
Pd-功率耗散: | 190 W | |
上升时间: | 60 ns | |
系列: | N-channel STripFET | |
工厂包装数量: | 1000 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 90 ns | |
典型接通延迟时间: | 17 ns | |
单位重量: | 330 mg |