- 非IC关键词
壹诺半导体(深圳 )有限公司
- 卖家积分:营业执照:已审核经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳企业网站:
http://www.szhmw-ic.com/
收藏本公司 人气:701070
企业档案
- 相关证件: 
- 会员类型:
- 会员年限:13年
- 阿库IM:
- 地址:深圳市华强北路上步工业区101栋5楼508-520房
- 传真:0755-82767516
- E-mail:805183191@QQ.com
产品分类
- 贴片/片式/SMD二极管(1)
- 整流二极管(6)
- 稳压二极管(1)
- 桥堆/整流桥/桥式整流器(2)
- 瞬态(变)抑制二极管(1)
- 功率二极管(2)
- 肖特基二极管(3)
- 光纤耦合二极管(1)
- 贴片/片式/SMD三极管(7)
- 三极管芯片(管芯)(1)
- 其他三极管(2)
- 双向可控硅(晶闸管)(1)
- 贴片保险丝(2)
- 其它逆变器(2)
- 光电光耦合器(光耦)(3)
- 光纤收发器(3)
- 光纤藕合器(1)
- LED器件(1)
- LED电源驱动/控制/软件(1)
- 其它LED相关产品(服务)(1)
- 其他编码器(1)
产品信息
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。
场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的器件一直到1952年才被制造出来(结型场效应管)。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。
场效应管[2]是常见的电子元件,属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。